研究設備
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電子ビーム描画装置
型式:CABL-9200TFTN(クレステック製)
描画方式:ベクタースキャン方式またはラスタースキャン方式
加速電圧:50kV(最小ビーム径2nm)
3元マグネトロンRFスパッタリング装置
型式:CFS-4EP-LL(芝浦メカトロニクス製)
3元(HfO2,SiO2,Ta2O5/SiO2混合)ターゲット
RFマグネトロンスパッタリング
ロードロック方式
ドライエッチング装置
型式:DEM-451(ANELVA製)
導入ガス:CF4,Ar,O2.
反応性DCスパッタリング装置
型式:SPS-208CW(昭和真空製)
2元ターゲット
反応性DCマグネトロンスパッタリング
10トレー/1カセット
カセットエレベータ+真空ロボット+基板反転機構,Nb2O5,SiO2多層積層が可能,ロードロック方式
マスクアライナ
型式:MA-20(ミカサ製)
露光光源:UVランプ500W
露光波長:ブロードバンド(g・h・i線)
最大基板サイズ:φ4インチ,最大基板厚:2㎜.
レーザ顕微鏡
型式:VL2000(Lasertec製)
405nmのバイオレットレーザーによる高精細画像
触針段差計
型式:Alpha-Step500(KLA Tencor製)
移動範囲：80×20mm(手動ステージ)最大サンプルサイズφ158X厚さ21mm
測定範囲Z:13μm X:10mm
分解能Z:0.1nm X:0.1μm
測定力10μN~1000μN
データ出力:フロッピーディスク
導波光特性評価システム
光源:波長可変LD(1550nm帯)
ASE(1400nm~1600nm)
近視野像観察
透過スペクトル測定
アイパターン,符号誤り率測定が可能
複屈折・位相差評価システム
型式:WPA-Micro(フォトニックラティス製)
測定範囲:0～3500nm
複屈折画素数:384 ×288pixels
測定波長:523nm,543nm,575nm.
電子顕微鏡
型式:S-3200H(HITACHI製)
加速電圧:30kV