電子線描画装置 CABL-AP50S/RD(クレステック製)
描画方式:ベクタースキャン方式またはラスタースキャン方式
加速電圧:50kV(最小ビーム径2nm)
描画方式:ベクタースキャン方式またはラスタースキャン方式
加速電圧:50kV(最小ビーム径2nm)
描画方式:ベクタースキャン方式またはラスタースキャン方式
加速電圧:50kV(最小ビーム径2nm)
対向型2軸スピンドル搭載
ステップカットによる高品質加工、1パスフルカットによる生産性重視加工の両加工モード
2元ターゲット
反応性DCマグネトロンスパッタリング
10トレー/1カセット
カセットエレベータ+真空ロボット+基板反転機構,Nb2O5,SiO2多層積層が可能,ロードロック方式
3元(HfO2,SiO2,Ta2O5/SiO2混合)ターゲット
RFマグネトロンスパッタリング
ロードロック方式